硅整流二极管

整流二极管(rectifier diode)是一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。它拥有二极管最重要的单方向导电性。

目录

  • 什么是硅整流二极管
  • 硅整流二极管符号
  • 硅整流二极管工作原理

1、什么是硅整流二极管

 

什么是硅整流二极管

 

2、硅整流二极管符号

 

硅整流二极管符号

 

3、硅整流二极管工作原理

硅整流管工作原理是基于用 P 型半导体及 N 型半导体组成 PN 结,它具有单向导电的整流作用。P 型硅单晶中,带正电荷的空穴是多数载流子,而电子是少数载流子。N 型硅单晶中,带负电荷的电子是多数载流子,而空穴是少数载流子。

 

由 P 型和 N 型两种半导体材料组成的 PN 结,由于 P 区的空六浓度高于 N 区的空穴浓度,N 区的电子浓度高于 P 区的电子浓度,所以 P 区空穴向 N 去扩散并与 N 区电子复合,N 区电子向 P 区扩散并与 P 区空穴复合。

 

在 PN 结交界面附近(叫空间电荷区) P 区因缺少空穴而带负电荷(是一 些不能移动的受主原子),N 区因缺少电子而带正电荷(是一 些不能移动的施主原子), 在空间电荷区,载流子因复合而消耗殆尽,故为高阻区,也叫空乏层或耗尽层。

 

空间电荷区的正负电荷形成电场称为自建电场或内电场,电场的方向是由正电荷区指向负电荷区,对 P 区的空穴继续向 N 区扩散以及 N 区的电子继续向 P 区扩散起到阻挡的作用,N 区的电子要到达 P 区以及 P 区的空穴要达到 N 区都要克服这个势垒作用,所以空间电荷区也叫阻挡层或势垒区。

 

硅整流二极管的特性是利用 PN 结的单向导电特性,把交流电变成脉动直流电。整流二极管漏电流较大,多数采用面接触性料封装的二极管。整流二极管的外形如图 1 所示,另外,整流二极管的参数除前面介绍的几个外,还有最大整流电流,是指整流二极管长时间的工作所允许通过的最大电流值。它是整流二极管的主要参数,是选项用整流二极管的主要依据。

 

硅整流二极管和电路一样,有正极、负极两个端子,而二极管最重要的就是单方向的导电性能,在硅整流二极管线路中,最大的特性就是,电流从硅整流二极管进入,只能从正极,而不能从负极进入,电流出去的时候,也只能从负极出发,这样从正极进负极出,渐渐形成一个回路。本期小编将会着重给大家介绍有关硅整流二极管的特性以及工作原理,帮助大家尽快的认识到硅整流二极管的作用。

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